受人工智能基础设施建设驱动，全球存储芯片市场正进入“超级周期”，多方预测供应短缺将持续两到三年。新思科技（Synopsys）首席执行官萨西尼·加齐指出，由于三星、SK海力士和美光等巨头扩产需至少两年，且产能优先流向AI领域，导致其他市场因产能不足陷入困境，短缺现象将延续至2026及2027年。美光科技预测，受HBM芯片强劲需求推动，存储市场供需紧张将持续到2026年以后，预计HBM市场规模到2028年将从350亿美元增长至1000亿美元。
目前，存储价格已出现大幅上涨。数据显示，DRAM价格同比上涨171%，DDR5现货价格自2025年9月以来已翻两番。高盛预测三星今年一季度DRAM定价环比增幅可达50%；野村证券则认为DRAM、NAND和HBM需求将同时激增，形成持续至2027年的“三重超级周期”。受此影响，消费电子产品已出现提价趋势。行业分析认为，只有当新制造设施在2027至2028年间实现量产，或AI需求放缓，供应紧张才可能得到缓解。
(IT业界资讯)
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